IGZO-DRAM의 밀도 문제에 대해 CAS(中国科学院)의 과학원, IMECAS(中科院微电子研究所)의 연구원 Liu Ming(劉明) 팀과 화웨이 하이실리콘 팀이  공동으로 2021년 IEDM 국제 대회에서 보도한 IGZO FET를 기반으로 디바이스의 핵심 사이즈(CD)를 50nm까지 미세화하는 데 성공했다.

미세화된 IGZO FET는 뛰어난 트랜지스터 특성, 양호한 열 안정성과 신뢰성을 보유하였다. 이번 연구 성과는 IGZO 트랜지스터의 고밀도 3D DRAM 분야에서의 적용을 추진하는 데 도움이 될 것이다.