10월 23일 밤, Silan(杭州士兰微电子股份有限公司)은 최근, 산하 자회사 Silan Advanced Compound Semiconductor(士兰明镓)의 SiC 파워 디바이스 생산라인이 이미 초보적 통선을 실현하여 최초의 SiC 디바이스 칩 생산 투입에 성공하였다고 공고를 발표하였다. 공고에 따르면 최초로 생산 투입된 제품의 각 파라미터 지표는 설계 요구에 도달하였으며 프로젝트가 단계적 진전을 이루었다. Silan Advanced Compound Semiconductor은 후속 설비의 설치와 시운전을 가속화고 있으며 올해 말 6인치 SiC 칩의 월 2,000개 캐파를 목표로 계획하고 있다.

Silan는 현재 1세대 평면 그리드 SiC-MOSFET 기술 개발을 완성하였으며 그 성능 지표는 업계 유사 디바이스 구조의 첨단 수준에 도달했다. 또한 SiC-MOSFET 칩을 자동차 메인 구동 파워 모듈에 패키징 하였으며 각 파라미터 지표가 양호하고 평가를 지속적으로 완성하여 곧 고객들에게 샘플을 보낼 것 예정이다.