国产存储硬核破局!长鑫存储 DDR5 登顶性能高地
国内存储芯片行业龙头企业长鑫存储在近日(11月23日-25日)召开的IC China 2025(中国国际半导体博览会)上发布了最新DDR5产品系列,引起业界广泛关注。记者在探展中看到,长鑫存储在公司展台上已经有了该系列产品的展示:最高速率8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,两项指标均已达到国际领先水平。与此同时,长鑫存储还展示了依托其先进颗粒生产的七大模组产品,覆盖服务器、工作站及个人电脑等全领域应用,以及今年10月份新发布的LPDDR5X等重要产品。
通过上述展示可以发现,长鑫存储的产品策略正向着多元化、系列化的方向发展。在当前全球存储市场正进入一个“超级周期”,市场对高性能存储芯片需求呈现爆发式增长的背景下,长鑫存储凭借对国际前沿技术的持续追踪,以及稳定的产能供应和全栈式产品布局,将为全球存储市场提供更加多元的选择,也成为支撑国内终端厂商提升市场竞争力的关键力量。
DDR5:步入国际顶级性能梯队
当前,全球存储行业正处于从DDR4向DDR5迭代的关键节点。随着AI大模型训练、超高清视频处理、工业互联网等场景对数据吞吐量和运算效率的要求不断提升,DDR5凭借更高带宽、更大容量、更低功耗的技术优势,成为支撑数字经济发展的核心存储载体。根据TrendForce数据,2024年第四季度DDR5在服务器DRAM市场的渗透率为45%,2025年将提升至65%,PC端渗透率则从35%跃升至55%。
长鑫存储本次的产品发布表现出其对国际前沿技术的持续追踪能力。速率是DRAM的关键指标之一。在DDR5产品中,如果4800-5600 Mbps是“入门级”的话,6000-6400 Mbps算是“主流”,8000 Mbps就是“高地”。过去两年,只有SK海力士的A-die和三星的特选产品才能在这一频率下稳定运行。长鑫存储此次发布8000 Mbps DDR5 芯片,意味着长鑫存储的产品技术已经迈入国际顶级性能梯队。
在内存容量上提升也值得关注,此次长鑫存储除了推出标准的16Gb内存颗粒以外,还重点推出了24Gb大容量颗粒。这一规格的产品可以支持96Gb大容量RDIMM模组,对于大规模数据中心具有显著优势,能在不占用额外物理插槽的前提下,显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率,满足数据中心快速扩容的刚需。
模组:精准适配多领域存储需求
除DDR5内存颗粒以外,长鑫存储还展示了依托其先进颗粒生产的七大模组产品。在数据中心与企业级服务器领域,长鑫存储重点展出RDIMM、MRDIMM及TFF MRDIMM三大核心模组。受AI需求爆发的驱动,AI服务器内存容量激增,带宽需求也大幅提升。RDIMM采用标准 DDR5 电气接口,具有更高的兼容性,适用于主流数据中心、云计算平台;MRDIMM采用并行访问技术,单时钟周期内可同时操作两个内存Rank,带宽翻倍,在AI推理与训练中可显著提升大模型的运行效率;TFF MRDIMM保持了与标准MRDIMM相同的接口和宽度,可容纳更多内存芯片,单条容量大幅提升,满足内存需求更高,追求单位空间最大内存密度的数据中心需求。
此次长鑫存储对RDIMM、MRDIMM及TFF MRDIMM三大核心模组进行了全覆盖,既在占据 DRAM最大份额的服务器市场,提供RDIMM多种容量,覆盖主流平台内存配置,同时在MRDIMM等前沿领域的布局,显示出长鑫已经具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。
针对主流台式机与PC市场,UDIMM模组具备平衡性能与性价比,延迟低、即插即用;而面向笔记本电脑和紧凑型智能设备的SODIMM模组,体积轻薄、功耗低、能效高,适配移动计算设备的空间与电力限制。长鑫存储此次展出的产品分别针对不同的应用场景进行了专门优化:SODIMM 还加入片内错误码校验功能,进一步提升了系统的稳定性。
CUDIMM/CSODIMM模组是JEDEC于2024年发布,为解决DDR5在高频运行时的信号完整性问题的产品标准。传统DDR5,时钟信号直接由 CPU 提供,随传输距离增加而衰减,高频下信号质量严重下降。CUDIMM/CSODIMM模组通过内置专用时钟驱动器芯片,接收CPU时钟信号后重新放大、整形、同步,确保信号完整性,解决了DDR5高频运行的稳定性问题,随着AI计算的普及,这两款内存模组正从高端小众走向主流。
长鑫存储展出的CUDIMM与CSODIMM模组,针对高端超频与工作站市场,内置专用时钟驱动器(CKD),在极致高频下仍能保持稳定信号传输,为3D渲染、科学计算等专业场景提供强劲算力支撑,标志着长鑫存储在高端存储领域实现国际接轨。
LPDDR5X:助力终端厂商构建核心竞争力
除DDR5系列新品以外,长鑫存储此次还展示了10月份刚发布的LPDDR5X产品。通过创新的封装技术和优化的内存设计,LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps,达到国际领先水平,较上一代LPDDR5提升了66%,同时可以兼容LPDDR5,功耗则比LPDDR5降低了30%。
据了解,目前LPDDR5X系列产品已进入量产阶段,并已与多家国内手机品牌及汽车电子厂商达成合作意向。该产品的推出可进一步完善长鑫存储在高性能存储产品布局,填补国内技术空白,助力国内终端厂商在智能手机等赛道构建核心竞争力。
矩阵:多元化 + 系列化满足用户需求
通过此次展览可以看出,长鑫存储的产品策略正向着多元化、系列化的方向发展,既具有产品性能不弱于国际主流厂商水平的DDR5、DDR4、LPDDR5X、LPDDR5、LPDDR4X等内存颗粒,也有基于先进颗粒形成的模组产品,可以满足不同用户的多元化需求,在AI服务器兼容性、端侧设备能效适配等场景中更展现出差异化优势。
与此同时,作为国内少数实现DRAM规模化量产的企业,长鑫存储已构建起稳定的产能体系,从颗粒设计、工艺研发到模组生产,在全球存储市场供需紧张的格局下,为国内产业链提供了可靠的产能保障。
据了解,长鑫存储的产品已经向小米、传音、Vivo等国内客户实现稳定供应。长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示,当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响,中国需要有稳定的国产DRAM产能供应,通过产能提升和规模效应,减少对海外厂商产能的依赖。
伴随AI、智能汽车、云计算等产业的爆发式增长,全球存储行业正步入由需求驱动的“超级周期”。市场研究机构TrendForce数据显示,2025年全球服务器DRAM市场规模将突破800亿美元,同比增长22%,其中AI服务器带动的存储需求占比将超过40%。长鑫存储此次发布高端新品不仅强化了具有国际竞争力的产品线,精准契合市场对高端产品的海量需求,为全球存储市场提供多元选择,也为国内终端厂商的产业布局提供了有力支撑。

