6月23日消息，据报道，知情人士今日称，中国存储芯片厂商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。

长江存储新工厂最初将主要生产128层闪存，如果2023年和2024年开发进展顺利，可能会转向更尖端的芯片，如196层或232层3D NAND闪存。

知情人士称，长江存储目前正在为新工厂安装设备，这是投产前的关键一步。新工厂的产能最终将达到第一座工厂的两倍。而这两家工厂的总产能将达到每月30万片晶圆，有助于长江存储将其全球市场份额扩大到10%以上。