针对IGZO-DRAM的密度问题，中国科学院院士、中科院微电子研究所研究员刘明团队与华为海思团队联合在2021年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构IGZO FET的基础上，再次成功将器件的关键尺寸（CD）微缩至50nm。

微缩后的IGZO FET具有优秀的晶体管特性、良好的热稳定性和可靠性。该研究成果有助于推动IGZO晶体管在高密度3D DRAM领域的应用。