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士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线明年Q3通线

据厦门工信消息,士兰集宏8英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片制造生产线项目进入土方工程收尾阶段,一期项目预计将于2025年三季度末初步通线,四季度试生产,该项目建成后将较好满足国内新能源汽车SiC芯片需求助力我市第三代半导体产业加快发展。

士兰集宏8英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片制造生产线项目总投资120亿元,分两期建设,其中,一期项目总投资70亿元,达产后年产42万片8英寸SiC功率器件芯片,预计年产值达67亿元。两期全部建成投产后,将形成年产72万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。