三星被迫与长江存储合作！
2月24日消息，据韩媒报道，为了获得长江存储技术授权，三星与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议！
据了解，三星评估认为，下一代NAND业务的不确定性增加，从第10代NAND开始，已经无法再避开长江存储技术专利！
据报道，三星之前在NAND生产中使用了COP（外围单元）方法，即将外围电路置于一个晶圆上，并将单元堆叠在上面。然而，随着层数超过 400，下层外围的压力会影响可靠性，即施加于下部渡轮的压力可能会变得很大并造成损坏。
因此，三星、海力士等企业决定采用W2W（晶圆到晶圆）混合键合技术，即在单独的晶圆上制造电池和渡线，然后将它们组合成一个。而这一技术，其实就是长江存储大约四年前就开始积极量产名为“Xtaking”的混合键合技术。
除了三星，韩国另一大存储芯片巨头SK海力士的下一代NAND闪存芯片的核心专利，也需要依赖中国，预计SK海力士也将与长江存储签署专利协议。
长江存储率先在闪存中使用了晶栈Xtacking技术，该技术可在一片晶圆上独立加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让 NAND 获取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。
大约四年前，长江存储在该领域建立了强大的专利组合。知情人士表示，美国 Xperi、长江存储和台积电拥有大多数混合键合专利。
据了解，最初长江存储与美国专利授权公司Xperi签署协议获得了混合键合技术的原始专利。此后，长江存储通过自主技术创新，在混合键合技术技术方面又建立了相当多的自主技术专利。
目前，长江存储的“Xtaking”技术已经演进到第四代，即“4.x”版本。长江存储此前已利用Extacking技术量产了160级、192级、232级等产品。因此，有评估认为这已实现了混合键合的技术稳定。
三星认为在下一代 NAND如V10、V11 和V12中很难绕过现有专利，因此选择与长江存储合作。